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一、課題組簡介

實驗室簡介：浙江大學杭州國際科創(chuàng)中心先進半導體研究院半導體材料研究室專注于寬禁帶半導體材料相關的基礎研究，重點突破以碳化硅、氧化鎵和金剛石為代表的寬禁帶半導體的生長、加工、外延及成套裝備，解決一系列寬禁帶半導體領域的“卡脖子”技術難題，推動寬禁帶半導體材料的快速發(fā)展，提高我國在寬禁帶半導體領域的國際競爭力和影響力。研究室以中科院院士楊德仁教授、皮孝東教授為學術帶頭人，已有成員50多人。擁有中國科學院院士1人、浙江大學和浙江大學杭州科創(chuàng)中心雙聘教授2人、科創(chuàng)百人5人、博士后和技術開發(fā)專家21人，工程師13人，博士占比54%。研究室成立至今在advanced functional materials、physical review applied、applied physics letters、acs applied materials and interfaces、journal of materials chemistry a、journal of materials chemistry c、advanced electronic materialsl等國際期刊發(fā)表sci論文40余篇，申請國家發(fā)明專利70余項，其中授權12項，申請實用新型專利30余項，其中授權17項。

主要負責人簡介：李東珂，求是科創(chuàng)學者（“科創(chuàng)百人計劃”研究員），浙江大學杭州國際科創(chuàng)中心先進半導體研究院半導體材料研究室。2018年于南京大學電子科學與工程學院獲得工學博士學位（師從徐駿教授），2022年加入浙江大學杭州國際科創(chuàng)中心先進半導體研究院。近年來的研究方向主要包括硅基微納結構材料的可控制備、硅基納電子與光電子器件，發(fā)表sci等收錄論文30余篇，主持多項國家與省部級科研項目；入選為江蘇省物理學會第十五屆青年工作委員會、江蘇省雙創(chuàng)博士（世界名校類）、淮安市第三屆十大科技之星等。

二、重點引進方向

碳化硅的外延生長與摻雜（滿足其一即可）

1.碳化硅外延層的生長和制備；

2.碳化硅的生長與摻雜動力學研究；

3.碳化硅中雜質的摻雜機制與行為表現(xiàn)特征研究；

4.基于碳化硅外延薄膜的光電子器件開發(fā)與設計。

三、申請條件

1.具有物理、材料、微電子、光電等相關學科背景和科研經(jīng)驗，從事過交叉學科研究者優(yōu)先考慮；

2.近五年內(nèi)獲得博士學位，品學兼優(yōu)，身心健康；

3.保證全職從事博士后研究工作；

4.具有良好的團隊合作意識和英語聽說讀寫能力。

四、待遇及保障條件:

1.根據(jù)科研工作能力提供具有競爭力的薪酬（含地方政府人才補助），具體面議（應屆博士畢業(yè)生另可獲得杭州市應屆生生活補貼10萬元）；

2.對獲得中國博士后科學基金資助和省級博士后科研項目資助的，杭州市、蕭山區(qū)分別給予相應配套資助；

3.提供一流的實驗與科學研究條件；

4.協(xié)助申請杭州市、蕭山區(qū)人才配套用房；

5.工作期間表現(xiàn)優(yōu)秀、業(yè)績突出者，如符合相應要求，可優(yōu)先推薦申請科創(chuàng)中心“求是科創(chuàng)學者”崗位或技術開發(fā)崗位；

6.在站期間，符合條件者可申報科創(chuàng)中心相關系列高級專業(yè)技術職務；出站優(yōu)秀者入職科創(chuàng)中心的可認定副研究員職稱，并可獲得地方政府80萬人才補貼。

五、申請材料:

1.個人簡歷；

2.表明研究能力和學術水平的成果（如：獲獎情況、鑒定、項目、學術論文等）及佐證材料；

3.博士學位論文。

申請人將以上材料電子版發(fā)送至科創(chuàng)中心人力資源部郵箱：ldkest@zju.edu.cn，附件和郵件主題均以“李東珂課題組+博士后+姓名+今日招聘網(wǎng)jrzp.com”標明?！究旖萃哆f：點擊下方“立即投遞/投遞簡歷”，即刻進行職位報名】

六、聯(lián)系方式:

聯(lián)系人：劉老師

聯(lián)系電話：0571-82990656

地址：浙江省杭州市蕭山區(qū)建設三路733號

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