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一、課題組簡介

實驗室簡介：浙江大學杭州國際科創(chuàng)中心先進半導(dǎo)體研究院半導(dǎo)體材料研究室專注于寬禁帶半導(dǎo)體材料相關(guān)的基礎(chǔ)研究，重點突破以碳化硅、氧化鎵和金剛石為代表的寬禁帶半導(dǎo)體的生長、加工、外延及成套裝備，解決一系列寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域的“卡脖子”技術(shù)難題，推動寬禁帶半導(dǎo)體材料的快速發(fā)展，提高我國在寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域的國際競爭力和影響力。研究室以中科院院士楊德仁教授、皮孝東教授為學術(shù)帶頭人，已有成員50多人。擁有中國科學院院士1人、浙江大學和浙江大學杭州科創(chuàng)中心特聘教授2人、科創(chuàng)百人6人、博士后和技術(shù)開發(fā)專家21人，工程師13人，博士占比54%。2021年研究室在small、acs applied materials and interfaces、journal of materials chemistry a、journal of materials chemistry c、advanced electronic materials等國際期刊發(fā)表sci論文30余篇，申請國家發(fā)明專利60余項，其中授權(quán)11項，申請實用新型專利30余項，其中授權(quán)14項。

主要負責人簡介：黃淵超，求是科創(chuàng)學者（“科創(chuàng)百人計劃”研究員），浙江大學杭州國際科創(chuàng)中心先進半導(dǎo)體研究院半導(dǎo)體材料研究室。2014年畢業(yè)于中國石油大學（華東）機電工程學院并獲得學士學位，2019年6月于中國科學技術(shù)大學獲得材料科學與工程博士學位，2020年9月到2022年9月在浙江大學杭州國際科創(chuàng)中心從事博士后研究。主要研究方向為寬禁帶半導(dǎo)體單晶生長與摻雜?，F(xiàn)已發(fā)表論文20余篇，其中一作/通信論文10篇。

二、重點引進方向:

方向1：半導(dǎo)體材料單晶生長工藝開發(fā)

方向2：半導(dǎo)體材料單質(zhì)生長設(shè)備設(shè)計與開發(fā)

方向3：半導(dǎo)體材料缺陷與雜質(zhì)的第一性原理研究

方向4：半導(dǎo)體材料生長過程分子動力學或蒙特卡洛研究

三、申請條件:

1.具有相關(guān)學科背景，包括微集成電路、微電子、材料、物理、電子科學與技術(shù)等相關(guān)專業(yè)、從事過交叉學科研究者優(yōu)先考慮；

2.近三年內(nèi)獲得博士學位，品學兼優(yōu)，身心健康，年齡原則上不超過35周歲；

3.具有良好的團隊合作意識和較強的獨立工作能力；

4.具有良好的英語聽說讀寫能力；

5.保證全職從事博士后研究工作。

四、待遇及保障條件:

1.根據(jù)科研工作能力提供具有競爭力的薪酬（含地方政府人才補助），具體面議（應(yīng)屆博士畢業(yè)生另可獲得杭州市應(yīng)屆生生活補貼10萬元）；

2.對獲得中國博士后科學基金資助和省級博士后科研項目資助的，杭州市、蕭山區(qū)分別給予相應(yīng)配套資助；

3.提供一流的實驗與科學研究條件；

4.協(xié)助申請杭州市、蕭山區(qū)人才配套用房；

5.工作期間表現(xiàn)優(yōu)秀、業(yè)績突出者，如符合相應(yīng)要求，可優(yōu)先推薦申請科創(chuàng)中心“求是科創(chuàng)學者”崗位或技術(shù)開發(fā)崗位；

6.在站期間，符合條件者可申報科創(chuàng)中心相關(guān)系列高級專業(yè)技術(shù)職務(wù)；出站優(yōu)秀者入職科創(chuàng)中心的可認定副研究員職稱，并可獲得地方政府80萬人才補貼。

五、申請材料:

1.個人簡歷；

2.表明研究能力和學術(shù)水平的成果（如：獲獎情況、鑒定、項目、學術(shù)論文等）及佐證材料；

3.博士學位論文。

申請人將以上材料電子版發(fā)送至科創(chuàng)中心人力資源部郵箱：huangyuanchao@zju.edu.cn【快捷投遞：點擊下方“立即申請/投遞簡歷”，即刻進行職位報名】，附件和郵件主題均以“黃淵超課題組+博士后+姓名+今日招聘網(wǎng)jrzp.com”標明。

六、聯(lián)系方式:

聯(lián)系人：劉老師

聯(lián)系電話：0571-82990656

地址：浙江省杭州市蕭山區(qū)建設(shè)三路733號